| 回路図 部品表 |
| 各エキサイター送信機から最終のリニアアンプをドライブするに、必要とするパワーを本機で増幅します。本機の基本設計は私の知り合いのアマチュア局が設計されたものをシステムでコントロール出来るようにプリント基板化して作り上げたもので仲間何人かで作成しました。許可を得ましたので掲載しました。三菱のFETを使ったソースフォロアのA級電力アンプです。私は、+30V電源で駆動し、２ユニット(PA-15)を合成して150ｍW入力に対して出力＝30W（PA-30)、ＩＭＤ3＝-50ｄＢ以下を得ることが出来ました。（電力利得＝約２０ｄBです） ① A級アンプですからバイアス電流が大きいため、通常（受信状態）は、バイアス電流＝０とし、送信時のみ（TXB=’H’）にバイアス電流がアクティブとなるようにしています。 ② 温度センサーは、基板のハンダ面とFETとの間に挟み込みます。 ③ 放熱FANの回転数は、温度でフィードバックをかけ、一定温度となるように回転数が制御されます。 ④ FETの取り付けは、ケース＝ドレインとなっているため、絶縁シートで取り付けること。 設定方法、調整は回路図に記載しておりますから参照して下さい。 |
完成品  |
基板ユニット |
| MAIN |
電源 |
| １ユニットでの測定 （現状では、５次/７次/９次歪の低減が課題である。） |
１W出力時の2TONE ３次IMD=-66ｄB |
５W出力時の2TONE ３次IMD=-6０ｄB |
１５W出力時の2TONE ３次IMD=-５１ｄB |
25W出力時の2TONE波形 |